幽霊スイッチ
シュレディンガー方程式の 境界条件の整合で追い込み
MOSFET絶縁膜の 染み出し率を設計
フラッシュメモリが 電子を出し入れ 浮遊ゲートにいる(0)か、いない(1)で
光子の着弾地点をマッピング
スマホ写真は 電磁波な光子散乱で 輪郭描き
吸収・励起で色を見て 光電効果で叩き出す
電子の粒子性でA/D変換 虹色光を区分
波性使い幽霊スイッチな 量子トンネルで書き込み
読み出しは 通電ノックし 電子斥力ゆえの重たさで
光の通行履歴を呼び出し 例の写真を再描画
カメラ撮るとは PN接合フォトダイオード イメージセンサー
±中和した空乏層の 内部電場に光子入射
光電効果し励起する 電子の抜け殻な正孔ペア生成
逆バイアスの電場に引き裂かれ ±電位差(電圧)発生
入射光の強弱に対応する 電子の数で明暗表し
A/D変換 「0」「1」ラベルで 光を「測定」電子に転写
シュレディンガー方程式の 境界条件の整合で追い込み
MOSFET絶縁膜の 染み出し率を設計
ポテンシャル壁越し +で吸い出し 三角に歪めた隙に
電子の波動関数の裾野が侵入 幽霊スイッチをオン・オフ
フラッシュメモリが電子を出し入れ 浮遊ゲートにいる(0)か、いない(1)で
光子の着弾地点をマッピング
不揮発性メモリ内から 二度と出られず 永遠に幽閉
それは電子が粒じゃなく 量子場の励起な定在波で
存在確率な波動関数ψゆえの トンネル効果で
粒で撮り波で記憶 二重性 量子力学の幽霊スイッチ
シュレディンガー方程式の 境界条件の整合で追い込み
MOSFET絶縁膜の 染み出し率を巡り
半導体工学と数学 鎬を削った絶縁膜
波動関数の裾野が侵入
MOSFET絶縁膜の 染み出し率を設計
フラッシュメモリが 電子を出し入れ 浮遊ゲートにいる(0)か、いない(1)で
光子の着弾地点をマッピング
スマホ写真は 電磁波な光子散乱で 輪郭描き
吸収・励起で色を見て 光電効果で叩き出す
電子の粒子性でA/D変換 虹色光を区分
波性使い幽霊スイッチな 量子トンネルで書き込み
読み出しは 通電ノックし 電子斥力ゆえの重たさで
光の通行履歴を呼び出し 例の写真を再描画
カメラ撮るとは PN接合フォトダイオード イメージセンサー
±中和した空乏層の 内部電場に光子入射
光電効果し励起する 電子の抜け殻な正孔ペア生成
逆バイアスの電場に引き裂かれ ±電位差(電圧)発生
入射光の強弱に対応する 電子の数で明暗表し
A/D変換 「0」「1」ラベルで 光を「測定」電子に転写
シュレディンガー方程式の 境界条件の整合で追い込み
MOSFET絶縁膜の 染み出し率を設計
ポテンシャル壁越し +で吸い出し 三角に歪めた隙に
電子の波動関数の裾野が侵入 幽霊スイッチをオン・オフ
フラッシュメモリが電子を出し入れ 浮遊ゲートにいる(0)か、いない(1)で
光子の着弾地点をマッピング
不揮発性メモリ内から 二度と出られず 永遠に幽閉
それは電子が粒じゃなく 量子場の励起な定在波で
存在確率な波動関数ψゆえの トンネル効果で
粒で撮り波で記憶 二重性 量子力学の幽霊スイッチ
シュレディンガー方程式の 境界条件の整合で追い込み
MOSFET絶縁膜の 染み出し率を巡り
半導体工学と数学 鎬を削った絶縁膜
波動関数の裾野が侵入
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